ON Semiconductor
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FDB5690
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FDB5690

MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB
Número da peça
FDB5690
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Series
PowerTrench®
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263AB
Dissipação de energia (máx.)
58W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
60V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
27 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
33nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1120pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
6V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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