ON Semiconductor
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FDB52N20TM
DataSheets

FDB52N20TM

MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Número da peça
FDB52N20TM
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Series
UniFET™
Status da peça
Active
Embalagem
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de dispositivos do fornecedor
D²PAK
Dissipação de energia (máx.)
357W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
200V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
49 mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
63nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2900pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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