ON Semiconductor
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FDB5645
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FDB5645

MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
Número da peça
FDB5645
Fabricante/Marca
ON Semiconductor
Series
PowerTrench®
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de dispositivos do fornecedor
D²PAK (TO-263AB)
Dissipação de energia (máx.)
125W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
60V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
80A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
9.5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
107nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4468pF @ 30V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
6V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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