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AGM2319EL
P-channel 40V 4A 63mΩ
Número da peça
AGM2319EL
Categoria
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulamento
SOT-23
Embalagem
taping
Número de pacotes
3000
Descrição
Type: P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 4A Power (Pd): 1.2W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 63mΩ@10V,5A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 11.8nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 0.553nF@20V Operating Temperature: -55℃~+150℃@( Tj)
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