Compre AGM-Semi (core control source) AGM210MAP N+P channel 20V 25A/-25A 11mΩ/18mΩ

AGM-Semi (core control source)

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AGM210MAP

N+P channel 20V 25A/-25A 11mΩ/18mΩ

Número da peça

AGM210MAP

Categoria

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Fabricante/Marca

AGM-Semi (core control source)

Encapsulamento

DFN3.3x3.3

Embalagem

taping

Número de pacotes

5000

Descrição

Type: One N-Channel, One P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 20V Continuous Drain Current (Id): 25A/-25A Power (Pd): 35W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 11mΩ@4.5V, 4A/18mΩ@10V, 3A Threshold voltage (Vgs(th)@Id): 0.7V@250uA/-0.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs) [email protected] /[email protected] V input capacitance (Ciss@Vds): 0.95nF@10V/0.9nF@10V, Vds=20v Id=25A/-25A Rds=11mΩ/18mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)

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