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AGM-Semi (core control source)

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AGM206AP

Número da peça

AGM206AP

Categoria

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Fabricante/Marca

AGM-Semi (core control source)

Encapsulamento

DFN3x3

Embalagem

taping

Número de pacotes

5000

Descrição

Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 20V Continuous Drain Current (Id): 60A Power (Pd): 72W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5.0mΩ@4.5V, 20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 0.7V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): [email protected] Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.8nF@15V , Vds=20V Id=60A Rds=5.0mΩ ,Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN3*3encapsulation;

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