SIS407ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 18A 1212-8 PPAK
Número da peça
SIS407ADN-T1-GE3
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET®
Status da peça
Active
Embalagem
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
PowerPAK® 1212-8
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8
Dissipação de energia (máx.)
3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
9 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
168nC @ 8V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
5875pF @ 10V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
1.8V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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