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SIS406DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK
Número da peça
SIS406DN-T1-GE3
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET®
Status da peça
Active
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
PowerPAK® 1212-8
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8
Dissipação de energia (máx.)
1.5W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
11 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
28nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1100pF @ 15V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±25V
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