SI6913DQ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP
Número da peça
SI6913DQ-T1-GE3
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET®
Status da peça
Active
Embalagem
Cut Tape (CT)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Potência - Máx.
830mW
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-TSSOP
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
12V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
4.9A
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
21 mOhm @ 5.8A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
900mV @ 400µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
28nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
-
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