A imagem pode ser uma representação.
Veja as especificações para detalhes do produto.
Veja as especificações para detalhes do produto.
SI6913DQ-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
Número da peça
SI6913DQ-T1-E3
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET®
Status da peça
Active
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Potência - Máx.
830mW
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-TSSOP
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
12V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
4.9A
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
21 mOhm @ 5.8A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
900mV @ 400µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
28nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
-
Solicitar orçamento
Preencha todos os campos obrigatórios e clique em ENVIAR, entraremos em contato com você em 12 horas por e-mail.Se você tiver algum problema, deixe mensagens ou e-mail para [email protected], responderemos o mais breve possível.
Em estoque 2058 PCS
Informações de contato
Produtos relacionados
Palavras-chave deSI6913DQ-T1-E3
SI6913DQ-T1-E3 Componentes eletrônicos
SI6913DQ-T1-E3 vendas
SI6913DQ-T1-E3 Fornecedor
SI6913DQ-T1-E3 Distribuidor
SI6913DQ-T1-E3 Tabela de dados
SI6913DQ-T1-E3 fotos
Preço SI6913DQ-T1-E3
SI6913DQ-T1-E3 Oferta
SI6913DQ-T1-E3 Preço mais baixo
SI6913DQ-T1-E3 Pesquisa
SI6913DQ-T1-E3 Comprando
Ficha SI6913DQ-T1-E3