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TP65H050WS
MOSFET N-CH 650V 34A TO247-3
Número da peça
TP65H050WS
Fabricante/Marca
Status da peça
Active
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-247-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-3
Dissipação de energia (máx.)
119W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
650V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
60 mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4.8V @ 700µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
24nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1000pF @ 400V
Vgs (máx.)
±20V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
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