A imagem pode ser uma representação.
Veja as especificações para detalhes do produto.
Veja as especificações para detalhes do produto.
TP65H035WS
MOSFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Número da peça
TP65H035WS
Fabricante/Marca
Status da peça
Active
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-247-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-3
Dissipação de energia (máx.)
156W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
650V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
46.5A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
41 mOhm @ 30A, 8V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4.8V @ 700µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
36nC @ 8V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1500pF @ 400V
Vgs (máx.)
±20V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
8V
Solicitar orçamento
Preencha todos os campos obrigatórios e clique em ENVIAR, entraremos em contato com você em 12 horas por e-mail.Se você tiver algum problema, deixe mensagens ou e-mail para [email protected], responderemos o mais breve possível.
Em estoque 261 PCS
Informações de contato
Produtos relacionados
Palavras-chave deTP65H035WS
TP65H035WS Componentes eletrônicos
TP65H035WS vendas
TP65H035WS Fornecedor
TP65H035WS Distribuidor
TP65H035WS Tabela de dados
TP65H035WS fotos
Preço TP65H035WS
TP65H035WS Oferta
TP65H035WS Preço mais baixo
TP65H035WS Pesquisa
TP65H035WS Comprando
Ficha TP65H035WS