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STU6N65M2
MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
Número da peça
STU6N65M2
Fabricante/Marca
Series
MDmesh™
Status da peça
Active
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pacote de dispositivos do fornecedor
IPAK (TO-251)
Dissipação de energia (máx.)
60W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
650V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
1.35 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
9.8nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
226pF @ 100V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±25V
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