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STU6N60M2
MOSFET N-CH 600V IPAK
Número da peça
STU6N60M2
Fabricante/Marca
Series
MDmesh™ II Plus
Status da peça
Active
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pacote de dispositivos do fornecedor
I-PAK
Dissipação de energia (máx.)
60W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
600V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
1.2 Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
13.5nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
232pF @ 100V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±25V
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