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STI11NM80
MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3
Número da peça
STI11NM80
Fabricante/Marca
Series
MDmesh™
Status da peça
Not For New Designs
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pacote de dispositivos do fornecedor
I2PAK (TO-262)
Dissipação de energia (máx.)
150W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
800V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
400 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
43.6nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1630pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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