A imagem pode ser uma representação.
Veja as especificações para detalhes do produto.
Veja as especificações para detalhes do produto.
QJD1210SA1
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Número da peça
QJD1210SA1
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Bulk
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote/Caixa
Module
Potência - Máx.
520W
Pacote de dispositivos do fornecedor
Module
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Standard
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
100A
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
17 mOhm @ 100A, 15V
Vgs(th) (máx.) @ ID
1.6V @ 34mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
330nC @ 15V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
8200pF @ 10V
Solicitar orçamento
Preencha todos os campos obrigatórios e clique em ENVIAR, entraremos em contato com você em 12 horas por e-mail.Se você tiver algum problema, deixe mensagens ou e-mail para [email protected], responderemos o mais breve possível.
Em estoque 3908 PCS
Informações de contato
Produtos relacionados
Palavras-chave deQJD1210SA1
QJD1210SA1 Componentes eletrônicos
QJD1210SA1 vendas
QJD1210SA1 Fornecedor
QJD1210SA1 Distribuidor
QJD1210SA1 Tabela de dados
QJD1210SA1 fotos
Preço QJD1210SA1
QJD1210SA1 Oferta
QJD1210SA1 Preço mais baixo
QJD1210SA1 Pesquisa
QJD1210SA1 Comprando
Ficha QJD1210SA1