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QJD1210010
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Número da peça
QJD1210010
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Active
Embalagem
Bulk
Temperatura de operação
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote/Caixa
Module
Potência - Máx.
1080W
Pacote de dispositivos do fornecedor
Module
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Standard
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
100A
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
25 mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th) (máx.) @ ID
5V @ 10mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
500nC @ 20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
10200pF @ 800V
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