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IPP50R190CEXKSA1
MOSFET N-CH 500V 18.5A PG-TO-220
Número da peça
IPP50R190CEXKSA1
Fabricante/Marca
Series
CoolMOS™ CE
Status da peça
Active
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-220-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO-220-3
Dissipação de energia (máx.)
127W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
500V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
18.5A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
190 mOhm @ 6.2A, 13V
Vgs(th) (máx.) @ ID
3.5V @ 510µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
47.2nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1137pF @ 100V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
13V
Vgs (máx.)
±20V
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