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IPP50N10S3L16AKSA1
MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
Número da peça
IPP50N10S3L16AKSA1
Fabricante/Marca
Series
OptiMOS™
Status da peça
Active
Embalagem
Tube
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-220-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO220-3-1
Dissipação de energia (máx.)
100W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
15.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.4V @ 60µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
64nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4180pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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