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IPC100N04S51R7ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON
Número da peça
IPC100N04S51R7ATMA1
Fabricante/Marca
Series
OptiMOS™
Status da peça
Active
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-PowerTDFN
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TDSON-8
Dissipação de energia (máx.)
115W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
40V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
1.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
3.4V @ 60µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
83nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4810pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
7V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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