A imagem pode ser uma representação.
Veja as especificações para detalhes do produto.
Veja as especificações para detalhes do produto.
IPC100N04S51R2ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON
Número da peça
IPC100N04S51R2ATMA1
Fabricante/Marca
Series
OptiMOS™
Status da peça
Active
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-PowerTDFN
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TDSON-8
Dissipação de energia (máx.)
150W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
40V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
1.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
3.4V @ 90µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
131nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
7650pF @ 25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
7V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitar orçamento
Preencha todos os campos obrigatórios e clique em ENVIAR, entraremos em contato com você em 12 horas por e-mail.Se você tiver algum problema, deixe mensagens ou e-mail para [email protected], responderemos o mais breve possível.
Em estoque 1058 PCS
Informações de contato
Produtos relacionados
Palavras-chave deIPC100N04S51R2ATMA1
IPC100N04S51R2ATMA1 Componentes eletrônicos
IPC100N04S51R2ATMA1 vendas
IPC100N04S51R2ATMA1 Fornecedor
IPC100N04S51R2ATMA1 Distribuidor
IPC100N04S51R2ATMA1 Tabela de dados
IPC100N04S51R2ATMA1 fotos
Preço IPC100N04S51R2ATMA1
IPC100N04S51R2ATMA1 Oferta
IPC100N04S51R2ATMA1 Preço mais baixo
IPC100N04S51R2ATMA1 Pesquisa
IPC100N04S51R2ATMA1 Comprando
Ficha IPC100N04S51R2ATMA1