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AGM608C
N-channel 60V 90A 4.8mΩ
Número da peça
AGM608C
Categoria
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulamento
TO-220
Embalagem
Tube
Número de pacotes
50
Descrição
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 90A Power (Pd): 54W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.8mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 33nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 1.28nF@30V, Vds=60V Id=90A Rds=4.8mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
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