Compre AGM-Semi (core control source) AGM605Q N-channel 60V 58A 6.2mΩ

AGM-Semi (core control source)

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AGM605Q

N-channel 60V 58A 6.2mΩ

Número da peça

AGM605Q

Categoria

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Fabricante/Marca

AGM-Semi (core control source)

Encapsulamento

DFN5x6

Embalagem

taping

Número de pacotes

3000

Descrição

Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 58A Power (Pd): 50W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.2mΩ@10V,15A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 15nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.976nF@30V, Vds=60V Id=58A Rds=6.2mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6encapsulation;

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