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VQ1001P
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
Número da peça
VQ1001P
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tube
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
-
Potência - Máx.
2W
Pacote de dispositivos do fornecedor
14-DIP
Tipo FET
4 N-Channel
Recurso FET
Logic Level Gate
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
830mA
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
1.75 Ohm @ 200mA, 5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
-
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
110pF @ 15V
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