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SUP50N03-5M1P-GE3

SUP50N03-5M1P-GE3

MOSFET N-CH 30V 50A TO-220AB
Número da peça
SUP50N03-5M1P-GE3
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET®
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Bulk
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-220-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Dissipação de energia (máx.)
2.7W (Ta), 59.5W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
5.1 mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
66nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2780pF @ 15V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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