SQJ200EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
Número da peça
SQJ200EP-T1_GE3
Fabricante/Marca
Series
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Status da peça
Active
Embalagem
Cut Tape (CT)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
PowerPAK® SO-8 Dual
Potência - Máx.
27W, 48W
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Standard
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
20A, 60A
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
8.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
18nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
975pF @ 10V
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