SIZ900DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
Número da peça
SIZ900DT-T1-GE3
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET®
Status da peça
Active
Embalagem
Digi-Reel®
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
6-PowerPair™
Potência - Máx.
48W, 100W
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-PowerPair™
Tipo FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET
Logic Level Gate
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
24A, 28A
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
7.2 mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
45nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1830pF @ 15V
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