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SIZ200DT-T1-GE3
MOSFET N-CH DUAL 30V
Número da peça
SIZ200DT-T1-GE3
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET® Gen IV
Status da peça
Active
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-PowerWDFN
Potência - Máx.
4.3W (Ta), 33W (Tc)
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-PowerPair® (3.3x3.3)
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Standard
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
28nC @ 10V, 30nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
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