SISS08DN-T1-GE3
MOSFET N-CHAN 25 V POWERPAK 1212
Número da peça
SISS08DN-T1-GE3
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET® Gen IV
Status da peça
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
PowerPAK® 1212-8S
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8S
Dissipação de energia (máx.)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
25V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
82nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
3670pF @ 12.5V
Vgs (máx.)
+20V, -16V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
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