SISH410DN-T1-GE3
MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH
Número da peça
SISH410DN-T1-GE3
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET®
Status da peça
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
PowerPAK® 1212-8SH
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8SH
Dissipação de energia (máx.)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
22A (Ta), 35A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
41nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1600pF @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
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