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SISH129DN-T1-GE3
MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-
Número da peça
SISH129DN-T1-GE3
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET®
Status da peça
Active
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
PowerPAK® 1212-8S
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8S
Dissipação de energia (máx.)
3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
14.4A (Ta), 35A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
11.4 mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.8V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
71nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
3345pF @ 15V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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