SIS888DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S
Número da peça
SIS888DN-T1-GE3
Fabricante/Marca
Series
ThunderFET®
Status da peça
Active
Embalagem
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TA)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
PowerPAK® 1212-8S
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Dissipação de energia (máx.)
52W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
150V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
58 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
14.5nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
420pF @ 75V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
7.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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