SIS322DNT-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
Número da peça
SIS322DNT-T1-GE3
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET®
Status da peça
Discontinued at Digi-Key
Embalagem
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
PowerPAK® 1212-8
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8
Dissipação de energia (máx.)
3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
38.3A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
7.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
21.5nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1000pF @ 15V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
+20V, -16V
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