SIRC06DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V
Número da peça
SIRC06DP-T1-GE3
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET® Gen IV
Status da peça
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
PowerPAK® SO-8
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Dissipação de energia (máx.)
5W (Ta), 50W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
Schottky Diode (Isolated)
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
32A (Ta), 60A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
2.7 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
58nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2455pF @ 15V
Vgs (máx.)
+20V, -16V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
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