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SIR167DP-T1-GE3
MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK SO-8
Número da peça
SIR167DP-T1-GE3
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET® Gen III
Status da peça
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
PowerPAK® SO-8
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Dissipação de energia (máx.)
65.8W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
5.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
111nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4380pF @ 15V
Vgs (máx.)
±25V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
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