SIR106DP-T1-RE3
MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
Número da peça
SIR106DP-T1-RE3
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET® Gen IV
Status da peça
Active
Embalagem
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
PowerPAK® SO-8
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8
Dissipação de energia (máx.)
3.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
100V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
16.1A (Ta), 65.8A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
8 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
3.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
64nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
3610pF @ 50V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
7.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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