SIHH11N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8
Número da peça
SIHH11N60E-T1-GE3
Fabricante/Marca
Series
-
Status da peça
Discontinued at Digi-Key
Embalagem
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-PowerTDFN
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 8 x 8
Dissipação de energia (máx.)
114W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
600V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
339 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
62nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1076pF @ 100V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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