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SIHG11N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC
Número da peça
SIHG11N80E-GE3
Fabricante/Marca
Series
E
Status da peça
Active
Embalagem
-
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote/Caixa
TO-247-3
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247AC
Dissipação de energia (máx.)
179W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
800V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
440 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
88nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1670pF @ 100V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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