Compre Vishay Siliconix SIDR610DP-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

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SIDR610DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

Número da peça

SIDR610DP-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Series

TrenchFET®

Status da peça

Active

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote/Caixa

PowerPAK® SO-8

Pacote de dispositivos do fornecedor

PowerPAK® SO-8DC

Dissipação de energia (máx.)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)

200V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

8.9A (Ta), 39.6A (Tc)

Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs

31.9 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (máx.) @ ID

4V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs

38nC @ 10V

Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds

1380pF @ 100V

Vgs (máx.)

±20V

Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)

7.5V, 10V

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