A imagem pode ser uma representação.
Veja as especificações para detalhes do produto.
Veja as especificações para detalhes do produto.
SIDR392DP-T1-GE3
MOSFET N-CHAN 30V
Número da peça
SIDR392DP-T1-GE3
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET® Gen IV
Status da peça
Active
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
PowerPAK® SO-8
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SO-8DC
Dissipação de energia (máx.)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
82A (Ta), 100A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
0.62 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
188nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
9530pF @ 15V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
+20V, -16V
Solicitar orçamento
Preencha todos os campos obrigatórios e clique em ENVIAR, entraremos em contato com você em 12 horas por e-mail.Se você tiver algum problema, deixe mensagens ou e-mail para [email protected], responderemos o mais breve possível.
Em estoque 3354 PCS
Informações de contato
Produtos relacionados
Palavras-chave deSIDR392DP-T1-GE3
SIDR392DP-T1-GE3 Componentes eletrônicos
SIDR392DP-T1-GE3 vendas
SIDR392DP-T1-GE3 Fornecedor
SIDR392DP-T1-GE3 Distribuidor
SIDR392DP-T1-GE3 Tabela de dados
SIDR392DP-T1-GE3 fotos
Preço SIDR392DP-T1-GE3
SIDR392DP-T1-GE3 Oferta
SIDR392DP-T1-GE3 Preço mais baixo
SIDR392DP-T1-GE3 Pesquisa
SIDR392DP-T1-GE3 Comprando
Ficha SIDR392DP-T1-GE3