SIB406EDK-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 6A SC-75-6
Número da peça
SIB406EDK-T1-GE3
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET®
Status da peça
Active
Embalagem
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
PowerPAK® SC-75-6L
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® SC-75-6L Single
Dissipação de energia (máx.)
1.95W (Ta), 10W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
46 mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
1.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
12nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
350pF @ 10V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
2.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±12V
Solicitar orçamento
Preencha todos os campos obrigatórios e clique em ENVIAR, entraremos em contato com você em 12 horas por e-mail.Se você tiver algum problema, deixe mensagens ou e-mail para [email protected], responderemos o mais breve possível.
Em estoque 3887 PCS
Informações de contato
Produtos relacionados
Palavras-chave deSIB406EDK-T1-GE3
SIB406EDK-T1-GE3 Componentes eletrônicos
SIB406EDK-T1-GE3 vendas
SIB406EDK-T1-GE3 Fornecedor
SIB406EDK-T1-GE3 Distribuidor
SIB406EDK-T1-GE3 Tabela de dados
SIB406EDK-T1-GE3 fotos
Preço SIB406EDK-T1-GE3
SIB406EDK-T1-GE3 Oferta
SIB406EDK-T1-GE3 Preço mais baixo
SIB406EDK-T1-GE3 Pesquisa
SIB406EDK-T1-GE3 Comprando
Ficha SIB406EDK-T1-GE3