SI8802DB-T2-E1
MOSFET N-CH 8V MICROFOOT
Número da peça
SI8802DB-T2-E1
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET®
Status da peça
Active
Embalagem
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
4-XFBGA
Pacote de dispositivos do fornecedor
4-Microfoot
Dissipação de energia (máx.)
500mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
8V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
-
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
54 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
700mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
6.5nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
-
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
1.2V, 4.5V
Vgs (máx.)
±5V
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