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SI8472DB-T2-E1
MOSFET N-CH 20V 3.3A MICRO
Número da peça
SI8472DB-T2-E1
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET®
Status da peça
Active
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
4-UFBGA
Pacote de dispositivos do fornecedor
4-Micro Foot (1x1)
Dissipação de energia (máx.)
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
-
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
44 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
900mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
18nC @ 8V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
630pF @ 10V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
1.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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