SI8401DB-T1-E1
MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP
Número da peça
SI8401DB-T1-E1
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET®
Status da peça
Active
Embalagem
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
4-XFBGA, CSPBGA
Pacote de dispositivos do fornecedor
4-Microfoot
Dissipação de energia (máx.)
1.47W (Ta)
Tipo FET
P-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
3.6A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
65 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
1.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
17nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
-
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
2.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±12V
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