SI8406DB-T2-E1
MOSFET N-CH 20V 16A MICROFOOT
Número da peça
SI8406DB-T2-E1
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET®
Status da peça
Active
Embalagem
Digi-Reel®
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
6-UFBGA
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-Micro Foot™ (1.5x1)
Dissipação de energia (máx.)
2.77W (Ta), 13W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
33 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
850mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
20nC @ 8V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
830pF @ 10V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
1.8V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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