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SI7909DN-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
Número da peça
SI7909DN-T1-GE3
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET®
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
PowerPAK® 1212-8 Dual
Potência - Máx.
1.3W
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8 Dual
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
12V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
5.3A
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
37 mOhm @ 7.7A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
1V @ 700µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
24nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
-
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