SI7900AEDN-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
Número da peça
SI7900AEDN-T1-E3
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET®
Status da peça
Active
Embalagem
Cut Tape (CT)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
PowerPAK® 1212-8 Dual
Potência - Máx.
1.5W
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8 Dual
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Recurso FET
Logic Level Gate
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
6A
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
26 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
900mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
16nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
-
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