SI7617DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK
Número da peça
SI7617DN-T1-GE3
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET®
Status da peça
Active
Embalagem
Cut Tape (CT)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
PowerPAK® 1212-8
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8
Dissipação de energia (máx.)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
12.3 mOhm @ 13.9A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
59nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1800pF @ 15V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±25V
Solicitar orçamento
Preencha todos os campos obrigatórios e clique em ENVIAR, entraremos em contato com você em 12 horas por e-mail.Se você tiver algum problema, deixe mensagens ou e-mail para chen_hx1688@hotmail.com, responderemos o mais breve possível.
Em estoque 2294 PCS
Informações de contato
Produtos relacionados
Palavras-chave deSI7617DN-T1-GE3
SI7617DN-T1-GE3 Componentes eletrônicos
SI7617DN-T1-GE3 vendas
SI7617DN-T1-GE3 Fornecedor
SI7617DN-T1-GE3 Distribuidor
SI7617DN-T1-GE3 Tabela de dados
SI7617DN-T1-GE3 fotos
Preço SI7617DN-T1-GE3
SI7617DN-T1-GE3 Oferta
SI7617DN-T1-GE3 Preço mais baixo
SI7617DN-T1-GE3 Pesquisa
SI7617DN-T1-GE3 Comprando
Ficha SI7617DN-T1-GE3