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SI7601DN-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8
Número da peça
SI7601DN-T1-E3
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET®
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
PowerPAK® 1212-8
Pacote de dispositivos do fornecedor
PowerPAK® 1212-8
Dissipação de energia (máx.)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
19.2 mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) @ ID
1.6V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
27nC @ 5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1870pF @ 10V
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
2.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±12V
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