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SI6404DQ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
Número da peça
SI6404DQ-T1-GE3
Fabricante/Marca
Series
TrenchFET®
Status da peça
Obsolete
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote/Caixa
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-TSSOP
Dissipação de energia (máx.)
1.08W (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Recurso FET
-
Dreno para Tensão de Fonte (Vdss)
30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
8.6A (Ta)
Rds ativados (máx.) @ ID, Vgs
9 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (máx.) @ ID
600mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Máx.) @ Vgs
48nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
-
Tensão do inversor (Max Rds ligado, Min Rds ligado)
2.5V, 10V
Vgs (máx.)
±12V
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